OBLF VeOS - оптико-эмиссионный спектрометр

OBLF VeOS применяется на любых предприятиях для контроля химического состава металлов и сплавов.

Используется для научных исследований (например, для изучения межэлементных влияний в сплавах и т. п.), разработки новых сплавов.

Возможности оптико-эмиссионного спектрометра VeOS

• Одновременное определение всех элементов в пробе
• Анализ различных матриц (Fe, Al, Ni, Ti, Cu, Zn, Co, Mg, Pb, Sn)
• Возможность комбинирования разных матриц на одном приборе
• Анализ N, C, S, P (азот, углерод, сера, фосфор) в металлах
• Автоматическое профилирование и коррекция дрейфа

Преимущества оптико-эмиссионного спектрометра VeOS

• Решает широкий круг практических задач промышленных лабораторий металлургических предприятий, включая производителей чистых металлов.
• Стационарный эмиссионный спектрометр, основанный на полупроводниковой сенсорной системе. Бескомпромиссная конструкция, сочетающая высокие аналитические показатели с невероятной гибкостью CCD/CMOS детекторов.
• Обеспечивает точный анализ коротковолновых элементов, напр. сера, фосфор, азот, низкие концентрации углерода в стали, фосфор в алюминии и т.д.

Достоинства оптико-эмиссионного спектрометра VeOS

• Всеобъемлющая мультиматричная система без ограничений в выборе элементов для анализа
• Выбор любой спектральной линии пользователем в диапазоне от 130 до 780 нм.
• Одновременное определение всех элементов в пробе
• Анализ различных основ (Fe, Al, Ni, Ti, Cu, Zn, Co, Mg, Pb, Sn)
• Возможность комбинирования разных основ на одном приборе
• Анализ N, C, S, P в металлах
• Удовлетворяет всем аналитическим задачам
• Легко добавляемые аналитические линии
• Новейшая, специально разработанная технология детекторов
• Точное определение низких пределов содержания N и C (технология ULC)
• Превосходные эксплуатационные качества благодаря пределу обнаружения, точности и стабильности
• Автоматическое профилирование и коррекция дрейфа
• Надёжная конструкция для работы в жестких производственных условиях

Детекторы

Конструкция светочувствительных детекторов CMOS специально приспособлена для требований эмиссионной спектрометрии. Они отличаются большой светочувствительной поверхностью, которая в 100 раз больше, чем в сопоставимых системах.